先进存储器“高带宽内存（HBM）”的开发竞争正在升温。三星电子等正在追逐在堆叠半导体芯片、提升数据措置智商的时间上跳跃的SK海力士。关于支握精湛堆叠时间的日系开辟和材料企业来说，HBM的普及亦然遍及的商机。

HBM是把多个DRAM芯片堆叠在一说念，提升数据措置智商的新结构半导体存储器。跟着需要高速措置大齐数据的东说念主工智能（AI）普及，需求正在急剧扩大。

由于将半导体电路宽度减终点限的“狭窄化”正在迎来物理极限，HBM正在把芯片堆叠起来，以三维结构提升措置智商。就像在用于保存数据的NAND型闪存限制张开的堆叠时间竞争一样，在DRAM限制也掀翻了堆叠层数的竞争。

跳跃的是在存储器限制排谢全国第2位的SK海力士。SK海力士与在AI限制跳跃的好意思国英伟达勾通，集中开发并握续供应HBM。

SK海力士于2023年10～12月在存储器行业领先扭亏为盈，很猛经过上是因为利润率较高的HBM的销售增多。SK海力士首席财务官（CFO）金祐贤自信地暗意，“HBM将保管年均60%的阛阓增长。在开发和量产两方面，其他企业很难裁减追上”。

SK海力士准备量产的先进居品把DRAM芯片堆叠至8层。当作下一代居品，已开动提供堆叠12层的样品。三星和好意思光科技也在加紧开发12层的居品。

然则时间难度很高，需要与现存DRAM量产不同的加工时间。包括立体结构的布线时间、具有散热特质的封装材料、精密削薄硅晶圆的时间等，SK海力士跃进的背后存在着日本供应商的支握。日本的制造开辟厂商迪想科、爱德万测试、TOWA等的股价暴涨的背后也有HBM普及这股强盛东风。

在以纳米为单元进行材料狭窄加工的时间限制，日系企业的作用遍及。三星在横滨市确立半导体商议基地亦然为了加深与日系供应商的联系，以扭转场面。

新一代居品的出现使DRAM的行情有所好转，但NAND的反弹力较弱。除了智高东说念主机和个东说念主电脑的销售低迷以外，把相片和视频存储到云表成为主流，贬抑结余数据容量的趋势增强，这也产生了无望影响。

韩国有进投资证券针对三星2024财年（截止2024年12月）商业利润展望称甲级职业联赛竞猜，DRAM将赚到13万亿韩元，NAND的利润仅为900亿韩元，不到百分之一。即使雷同属于半导体存储器，受益于AI普及的DRAM和莫得火车头拉动的NAND之间的收益差距将握续一段时辰。